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Infineon Technologies 英飞凌

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电流 - 连续漏极(id)：2.4A（Tc）
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-758
包装：
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个
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咨询客服
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-770
包装：
参考价格:￥1.932300
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-804
包装：
参考价格:￥1.932300
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-817
包装：
参考价格:￥1.932300
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描述： MOSFET N-CH 650V TO-252
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 600V 7A TO252
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
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功率 - 最大值：82W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-844
包装：
参考价格:￥1.932300
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
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料号：JTG8-855
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-859
包装：
参考价格:￥1.932300
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
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替代：
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外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-861
包装：
参考价格:￥1.932300
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
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包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH TO252-3
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3
料号：JTG8-889
包装：
参考价格:￥1.932300
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
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替代：
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漏源极电压（vdss）：30V
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