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Infineon Technologies 英飞凌

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替代：
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漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极(id)：40A（Tc）
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功率 - 最大值：42W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3-11
料号：JTG8-784
包装：
参考价格:￥3.446500
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封装：PG-TO252-3-11
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包装：
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3-11
料号：JTG8-802
包装：
参考价格:￥3.446500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
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替代：
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功率 - 最大值：79W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3-11
料号：JTG8-885
包装：
参考价格:￥3.446500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3-11
料号：JTG8-928
包装：
参考价格:￥3.446500
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替代：
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外壳：
封装：PG-TO252-3-11
料号：JTG8-942
包装：
参考价格:￥3.446500
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料号：JTG8-962
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-3-11
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包装：
参考价格:￥3.446500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
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替代：
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