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Infineon Technologies 英飞凌

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(64) { ["id"]=> string(5) "22697" ["pdf_add"]=> string(131) "http://www.infineon.com/dgdl/IPA65R660CFD2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4e912003c&fileId=db3a30432e0bea21012e14dccc656df9" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(83) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg" ["images"]=> string(99) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/D-C2-B2Pak_TO-263_418AA-01.jpg" ["ljbh"]=> string(17) "IPB65R660CFDTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "IPB65R660CFD" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(5) "17000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.730000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "MOSFET N-CH 650V 6A TO263" ["xl"]=> string(12) "CoolMOS™" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(33) "MOSFET N 通道，金属氧化物" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(10) "6A（Tc）" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "660 毫欧 @ 2.1A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "4.5V @ 200µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "22nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "615pF @ 100V" ["fetgn"]=> string(6) "标准" ["gn_zdz"]=> string(5) "62.5W" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "表面贴装" ["fz_wk"]=> string(49) "TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "PG-TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "带卷（TR）" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： IPB65R660CFD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R660CFD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R660CFD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 6A TO263
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:615pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：6A（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：62.5W
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG8-22697
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.824900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB65R660CFD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "25219" ["pdf_add"]=> string(131) "http://www.infineon.com/dgdl/IPW65R420CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432f91014f012f9c293f1a7399" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(83) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg" ["images"]=> string(99) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/D-C2-B2Pak_TO-263_418AA-01.jpg" ["ljbh"]=> string(17) "IPB65R420CFDTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "IPB65R420CFD" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(4) "2000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263" ["xl"]=> string(12) "CoolMOS™" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(33) "MOSFET N 通道，金属氧化物" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(12) "8.7A（Tc）" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "420 毫欧 @ 3.4A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "4.5V @ 340µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "32nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "870pF @ 100V" ["fetgn"]=> string(6) "标准" ["gn_zdz"]=> string(5) "83.3W" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "表面贴装" ["fz_wk"]=> string(49) "TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "PG-TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "带卷（TR）" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： IPB65R420CFD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R420CFD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R420CFD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:615pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):8.7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 340µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:83.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：8.7A（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：83.3W
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG8-25219
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.824900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB65R420CFD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "31925" ["pdf_add"]=> string(131) "http://www.infineon.com/dgdl/IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(83) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg" ["images"]=> string(99) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/D-C2-B2Pak_TO-263_418AA-01.jpg" ["ljbh"]=> string(17) "IPB65R310CFDTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "IPB65R310CFD" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(4) "1000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.150000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263" ["xl"]=> string(12) "CoolMOS™" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(33) "MOSFET N 通道，金属氧化物" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "11.4A（Tc）" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "310 毫欧 @ 4.4A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "4.5V @ 400µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "41nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vds_srdr"]=> string(13) "1100pF @ 100V" ["fetgn"]=> string(6) "标准" ["gn_zdz"]=> string(6) "104.2W" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "表面贴装" ["fz_wk"]=> string(49) "TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "PG-TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "带卷（TR）" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： IPB65R310CFD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R310CFD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R310CFD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:615pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):8.7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 340µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:83.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):11.4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:310 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:104.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：11.4A（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：104.2W
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG8-31925
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.824900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB65R310CFD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "33055" ["pdf_add"]=> string(135) "http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX65R190CFD__2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(83) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg" ["images"]=> string(99) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/D-C2-B2Pak_TO-263_418AA-01.jpg" ["ljbh"]=> string(17) "IPB65R190CFDTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "IPB65R190CFD" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.550000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263" ["xl"]=> string(12) "CoolMOS™" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(33) "MOSFET N 通道，金属氧化物" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "17.5A（Tc）" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "190 毫欧 @ 7.3A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(13) "4.5V @ 730µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "68nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vds_srdr"]=> string(13) "1850pF @ 100V" ["fetgn"]=> string(6) "标准" ["gn_zdz"]=> string(4) "151W" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "表面贴装" ["fz_wk"]=> string(49) "TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "PG-TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "带卷（TR）" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： IPB65R190CFD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R190CFD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R190CFD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:615pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):8.7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 340µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:83.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):11.4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:310 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:104.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):17.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 730µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:151W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：17.5A（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：151W
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG8-33055
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.824900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB65R190CFD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "33175" ["pdf_add"]=> string(135) "http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(83) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg" ["images"]=> string(99) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Pkg.Case_or_Series/D-C2-B2Pak_TO-263_418AA-01.jpg" ["ljbh"]=> string(17) "IPB65R110CFDTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "IPB65R110CFD" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.930000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263" ["xl"]=> string(12) "CoolMOS™" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(33) "MOSFET N 通道，金属氧化物" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "31.2A（Tc）" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(24) "110 毫欧 @ 12.7A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(12) "4.5V @ 1.3mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(11) "118nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vds_srdr"]=> string(13) "3240pF @ 100V" ["fetgn"]=> string(6) "标准" ["gn_zdz"]=> string(6) "277.8W" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "表面贴装" ["fz_wk"]=> string(49) "TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "PG-TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "带卷（TR）" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： IPB65R110CFD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R110CFD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB65R110CFD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:615pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):8.7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 340µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:83.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):11.4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:310 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:104.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):17.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 730µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:151W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):31.2A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):118nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:3240pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:277.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：31.2A（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：277.8W
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG8-33175
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.824900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB65R110CFD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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