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Infineon Technologies 英飞凌

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丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-760
包装：
参考价格:￥2.147000
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包装：
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丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-2564
包装：
参考价格:￥2.147000
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可供数量:咨询
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描述： MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
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替代：
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漏源极电压（vdss）：600V
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Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.8W（Ta）
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封装：SOT-223
料号：JTG8-2577
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参考价格:￥2.147000
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可供数量:咨询
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丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-11017
包装：
参考价格:￥2.147000
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
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丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-11018
包装：
参考价格:￥2.147000
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
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替代：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):2.9A（Tj） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:120 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.3nC @ 7V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):1.9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 5V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 5V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:75 毫欧 @ 2.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):3.1A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.6nC @ 5V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 120mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.9nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:146pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:75 毫欧 @ 2.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.3nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):1.6A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:220 毫欧 @ 1.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 3.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 5V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):75A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):75A（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 140A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):200nC @ 10V *Vgs(最大值):200nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5730pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔
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丝印：
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封装：SOT-223
料号：JTG8-11151
包装：
参考价格:￥2.147000
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：55V
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fet 功能：-
功率 - 最大值：1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-11674
包装：
参考价格:￥2.147000
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-11676
包装：
参考价格:￥2.147000
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):2.9A（Tj） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:120 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.3nC @ 7V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):1.9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 5V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):2.9A（Tj） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:120 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.3nC @ 7V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):1.9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极(id):5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 5V *Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：55V
电流 - 连续漏极(id)：2A（Ta）
Vgs(最大值)：±16V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-11795
包装：
参考价格:￥2.147000
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现货库存:0
可供数量:咨询
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