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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： AUIRFZ48Z复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 61A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：91W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-2991 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRFZ44Z复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 51A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：51A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-3502 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRF4104复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 75A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-3718 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRF2804复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 195A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：300W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-3765 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRL1404Z复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 160A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：200W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-3858 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRF3305复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：140A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：330W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-3875 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRF3805复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 160A TO220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):290nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7960pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：300W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-3911 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRFB4137PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 300V 38A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):290nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7960pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：300V 电流 - 连续漏极(id)：38A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：341W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-21663 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRFB7540PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 110A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):290nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7960pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.1 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4555pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：110A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：160W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-23670 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRFB7545PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):290nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7960pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.1 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4555pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：95A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：125W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-33441 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRFI3306GPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 71A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):290nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7960pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.1 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4555pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):71A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.2 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):135nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4685pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:46W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：71A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：46W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-33518 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRF9540N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):51A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1420pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6450pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.1 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):140A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3650pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):160A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):290nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7960pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.1 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4555pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4010pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):71A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.2 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):135nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4685pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:46W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:117 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):97nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：23A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-52723 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.633500	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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