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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： IPA65R280C6XKSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：13.8A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：32W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-3692 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA50R650CEXKSA2复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：4.6A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：27.2W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-20517 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA50R380CEXKSA2复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：6.3A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：29.2W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-20638 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRFI7536GPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 103A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):195nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6600pF @ 48V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：86A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：75W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-33844 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA50R950CEXKSA2复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):195nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6600pF @ 48V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:950 毫欧 @ 1.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:231pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:25.7W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：3.7A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：25.7W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-34312 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA65R650CEXKSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 650V TO-220-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):195nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6600pF @ 48V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:950 毫欧 @ 1.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:231pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:25.7W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 210µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：7A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：28W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-34320 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA50R500CEXKSA2复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):195nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6600pF @ 48V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:950 毫欧 @ 1.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:231pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:25.7W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 210µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):5.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 2.3A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:433pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：5.4A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：28W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-34322 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA50R280CEXKSA2复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):195nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6600pF @ 48V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:950 毫欧 @ 1.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:231pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:25.7W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 210µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):5.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 2.3A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:433pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 350µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:773pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:30.4W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：7.5A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：30.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-34351 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IPA50R800CEXKSA2复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 440µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:32W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 1.8A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:342pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:27.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):6.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 260µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:584pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:29.2W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):195nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6600pF @ 48V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:950 毫欧 @ 1.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:231pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:25.7W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 210µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):5.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 2.3A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:433pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:28W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:280 毫欧 @ 4.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 350µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:773pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:30.4W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:800 毫欧 @ 1.5A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:26.4W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：4.1A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：26.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 整包料号：JTG8-34964 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.831100	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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