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Infineon Technologies 英飞凌

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晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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状态：在售型号： IRFI7446GPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 80A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：80A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：40.5W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-2750 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI7440GPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 95A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：95A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-2791 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIB41N15DPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：41A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：48W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-3540 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLI2910PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：31A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：63W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-6538 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI2807复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：40A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：48W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11012 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI4905复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：41A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：63W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11013 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI9530N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：7.7A（Ta） Vgs(最大值)：38nC @ 10V fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11014 包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI9Z24N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：9.5A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：29W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11015 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI9Z34N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：14A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：37W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11016 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLI2910复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：31A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：63W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11096 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI1310N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：24A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：56W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11683 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI520N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：7.6A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：30W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11684 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI530N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：12A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：41W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11685 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ24E复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：14A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：29W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11686 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ34E复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):21A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：21A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：37W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11687 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ46N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):21A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：33A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11688 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ48N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 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状态：在售型号： IRLI2203N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 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最大值：47W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11694 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLI3803复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRLI520N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 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最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):21A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 4.5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:47W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):76A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 4.5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:180 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：8.1A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：30W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11696 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IRFI7446GPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 80A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：80A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：40.5W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-2750 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI7440GPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 95A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：95A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-2791 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIB41N15DPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：41A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：48W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-3540 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLI2910PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：31A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：63W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-6538 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI2807复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：40A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：48W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11012 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI4905复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：41A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：63W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11013 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI9530N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：7.7A（Ta） Vgs(最大值)：38nC @ 10V fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11014 包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI9Z24N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：9.5A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：29W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11015 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI9Z34N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：14A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：37W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11016 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLI2910复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：31A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：63W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11096 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI1310N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：24A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：56W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11683 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI520N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：7.6A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：30W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11684 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFI530N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：12A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：41W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11685 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ24E复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：14A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：29W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11686 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ34E复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):21A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：21A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：37W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11687 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ46N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):9.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 5.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:29W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:37W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):21A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：33A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11688 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFIZ48N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 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状态：在售型号： IRLI2203N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 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最大值：47W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11694 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLI3803复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):31A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):40A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:63W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7.7A（Ta）不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 4.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):38nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:860pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRLI520N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):80A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 48A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3199pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 57A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4549pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2520pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:48W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 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最大值:56W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):7.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:200 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):12A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:41W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):14A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:71 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:29W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):21A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:37W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 4.5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:47W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):76A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 4.5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:63W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:180 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：8.1A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：30W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220AB 整包料号：JTG8-11696 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.446600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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