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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 172A TO247
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):172A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7020pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:230W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：172A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：230W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG8-23876
包装：
参考价格:￥25.425000
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可供数量:咨询
个
总额：
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描述： MOSFET N-CH 60V 195A TO247
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):172A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7020pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:230W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):195A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):411nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13703pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:341W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc）
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功率 - 最大值：341W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG8-24521
包装：
参考价格:￥25.425000
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可供数量:咨询
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