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Infineon Technologies 英飞凌

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晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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状态：在售型号： AUIRFP1405复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：95A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：310W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3009 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP2907Z复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：170A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：310W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3014 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4110复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：120A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：370W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3035 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4409复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：300V 电流 - 连续漏极(id)：38A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：341W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3036 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4004复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：380W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3046 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP7718PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 75V 195A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：517W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3068 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP2907复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：470W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3071 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4568复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 171A AUTO 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：171A（Tc） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：517W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3080 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP4127PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：341W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3931 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP3006PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3940 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP064N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：110A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3965 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP3703复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：210A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.8W（Ta），230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11145 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP044N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：53A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：120W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11670 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP054N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：81A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：170W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11671 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP048N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):64A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：64A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11709 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP140N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFP150N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFP9140N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 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状态：在售型号： IRFP1405复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 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最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:52 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:117 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):97nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFP4232PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 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最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):64A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:52 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:117 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):97nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:35.7 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:430W（Tc）工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：430W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-12717 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： AUIRFP1405复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：95A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：310W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3009 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP2907Z复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：170A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：310W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3014 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4110复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：120A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：370W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3035 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4409复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：300V 电流 - 连续漏极(id)：38A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：341W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3036 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4004复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：380W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3046 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP7718PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 75V 195A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：517W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3068 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP2907复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：470W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3071 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP4568复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 171A AUTO 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：171A（Tc） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：517W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3080 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP4127PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：341W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3931 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP3006PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：195A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3940 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： AUIRFP064N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：110A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-3965 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP3703复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：210A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.8W（Ta），230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11145 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP044N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：53A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：120W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11670 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP054N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：81A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：170W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11671 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP048N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:470W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):171A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.9 毫欧 @ 103A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10470pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:21 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5380pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 毫欧 @ 170A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):300nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8970pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):110A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8 毫欧 @ 59A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):170nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):64A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：64A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-11709 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFP140N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFP150N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFP9140N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 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状态：在售型号： IRFP1405复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 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最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):64A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):33A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:52 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:160W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:117 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):97nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFP4232PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):95A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.3 毫欧 @ 95A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):180nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):170A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):210nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9620pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:370W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:300V 电流 - 连续漏极(id):38A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:69 毫欧 @ 24A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5168pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:341W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.7 毫欧 @ 195A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):330nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8920pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:380W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):195A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):830nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:29550pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:517W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):620nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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最大值:200W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):210A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 76A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):209nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8250pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.8W（Ta），230W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):53A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):81A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:170W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):64A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:16 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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最大值:310W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:35.7 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):240nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:430W（Tc）工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：430W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247AC 料号：JTG8-12717 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥29.809400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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