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Infineon Technologies 英飞凌

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状态： 在售
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IGBT 650V 15A TO220-3
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替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，8.5A
功率 - 最大值：40W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：PG-TO220-3 整包
料号：JTG14-799
包装：
参考价格:￥14.057200
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可供数量:咨询
个
总额：
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状态： 在售
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： HOME APPLIANCES 14
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替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，5A
功率 - 最大值：33W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：PG-TO220-3 整包
料号：JTG14-800
包装：
参考价格:￥14.057200
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状态： 在售
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP
参数： *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，8.5A *功率 - 最大值:40W 开关能量:200µJ（开），70µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:27nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/106ns 测试条件:400V，8.5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):51ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:11A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，5A *功率 - 最大值:33W 开关能量:110µJ（开），40µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/59ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):43ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:17A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，11.5A *功率 - 最大值:45W 开关能量:230µJ（开），110µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:37nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/117ns 测试条件:400V，11.5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):69ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，11.5A
功率 - 最大值：45W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：PG-TO220-3 整包
料号：JTG14-809
包装：
参考价格:￥14.057200
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IKA15N65ET6XKSA2' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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