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Infineon Technologies 英飞凌

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替代：
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电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，15A
功率 - 最大值：130W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG14-785
包装：
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可供数量:咨询
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丝印：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IGBT 600V 40A 166W TO263-3
参数： *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A *功率 - 最大值:130W 开关能量:570µJ *输入类型:标准 栅极电荷:87nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/188ns 测试条件:400V，15A，15 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，6A *功率 - 最大值:88W 开关能量:200µJ *输入类型:标准 栅极电荷:42nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/130ns 测试条件:400V，6A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):123ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，10A *功率 - 最大值:110W 开关能量:430µJ *输入类型:标准 栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/215ns 测试条件:400V，10A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):115ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，20A *功率 - 最大值:166W 开关能量:770µJ *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):41ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，20A
功率 - 最大值：166W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：PG-TO263
料号：JTG14-1743
包装：
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现货库存:0
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