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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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状态： 在售
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
参数： *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V *容差:±5% *功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100mW 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 3V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: 数量:
替代：
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：6.2V
容差：±5%
功率 - 最大值：100mW
丝印：
外壳：
封装：GMD2
料号：E6-18807
包装：
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可供数量:咨询
个
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状态： 在售
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2
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替代：
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：8.2V
容差：±5%
功率 - 最大值：100mW
丝印：
外壳：
封装：GMD2
料号：E6-20176
包装：
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可供数量:咨询
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状态： 在售
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描述： DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2
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电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：5.1V
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功率 - 最大值：100mW
丝印：
外壳：
封装：GMD2
料号：E6-21099
包装：
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状态： 在售
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
参数： *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V *容差:±5% *功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100mW 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 3V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V *容差:±5% *功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100mW 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:500nA @ 5V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V *容差:±5% *功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100mW 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:2µA @ 1.5V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: 数量: *电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V *容差:±5% *功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100mW 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:500nA @ 3.5V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: 数量:
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电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：6.8V
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外壳：
封装：GMD2
料号：E6-26129
包装：
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可供数量:咨询
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2
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参考价格:￥3.039700
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