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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： BSM180C12P3C202复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 1200V, 180A, CHOPPER, FULL SIC-P 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):180A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 50mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:880W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：180A（Tc） Vgs(最大值)：+22V，-4V fet 功能：- 功率 - 最大值：880W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG8-48147 包装：	参考价格:￥3.390000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSM180C12P2E202复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):180A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 50mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:880W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):204A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 35.2mA Vgs(最大值):+22V，-6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：204A（Tc） Vgs(最大值)：+22V，-6V fet 功能：- 功率 - 最大值：1360W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG8-48148 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥3.390000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSM300C12P3E201复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 1200V, 300A, BOOST CHOPPER, FULL 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):180A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 50mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:880W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):204A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 35.2mA Vgs(最大值):+22V，-6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：300A（Tc） Vgs(最大值)：+22V，-4V fet 功能：- 功率 - 最大值：1360W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG8-48149 包装：	参考价格:￥3.390000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSM300C12P3E301复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： SILICON CARBIDE POWER MODULE. B 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):180A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 50mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:880W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):204A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 35.2mA Vgs(最大值):+22V，-6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V fet 功能:标准功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：300A（Tc） Vgs(最大值)：+22V，-4V fet 功能：标准功率 - 最大值：1360W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG8-48150 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥3.390000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSM400C12P3G202复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： BSM400C12P3G202 IS A CHOPPER MOD 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):180A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 50mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:880W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):204A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 35.2mA Vgs(最大值):+22V，-6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V fet 功能:标准功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ） fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):400A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 106.8mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 106.8mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1570W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：400A（Tc） Vgs(最大值)：+22V，-4V fet 功能：- 功率 - 最大值：1570W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG8-48151 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥3.390000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSM600C12P3G201复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):180A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 50mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 50mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:880W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):204A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 35.2mA Vgs(最大值):+22V，-6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):300A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 80mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V fet 功能:标准功率 - 最大值:1360W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ） fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):400A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 106.8mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 106.8mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1570W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):600A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6V @ 182mA Vgs(最大值):+22V，-4V 不同vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:2460W（Tc）工作温度:175°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：600A（Tc） Vgs(最大值)：+22V，-4V fet 功能：- 功率 - 最大值：2460W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG8-48152 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥3.390000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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