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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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描述： MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
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丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-7704
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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替代：
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功率 - 最大值：1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-24786
包装：
参考价格:￥4.599100
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fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：12V
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描述： MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
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料号：JTG8-46884
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功率 - 最大值：1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-24870
包装：
参考价格:￥4.599100
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可供数量:咨询
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fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：30V
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封装：TUMT6
料号：JTG8-26394
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外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-34684
包装：
参考价格:￥4.599100
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参考价格:￥4.599100
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101
参数： *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 4.5V *Vgs(最大值):-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):4.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 4.5V *Vgs(最大值):-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:320mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:320mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:120 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.9nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:36 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1940pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):5.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同id,vgs 时的rds on:25.8 毫欧 @ 5.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):2.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:75 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.2nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:320mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):2.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:61 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):2.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 4.5V *Vgs(最大值):-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:320mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):6.4nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：30V
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Vgs(最大值)：6.4nC @ 4.5V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-45389
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON
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丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-45393
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参考价格:￥4.599100
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： RF6E065BN IS LOW ON-RESISTANCE A
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料号：JTG8-45434
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参考价格:￥4.599100
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： PCH -30V -2.5A POWER MOSFET
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替代：
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：30V
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丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-46701
包装：
参考价格:￥4.599100
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： NCH 20V 3.5A POWER MOSFET
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外壳：
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包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6
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描述： 4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： PCH -30V -3.5A POWER MOSFET
参数： *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 4.5V *Vgs(最大值):-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极(id):4.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:30 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 4.5V *Vgs(最大值):-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 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替代：
fet 类型：P 通道
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功率 - 最大值：1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：TUMT6
料号：JTG8-48296
包装：
参考价格:￥4.599100
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现货库存:0
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