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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： RUU002N05T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：200mA（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-28891 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RHU002N06T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：200mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-28934 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK3018T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：100mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-28937 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RJU003N03T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-28989 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RJU002N06T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：200mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-29598 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RSU002P03T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：250mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-29773 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RTU002P02T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：250mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-29932 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RSU002N06T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：250mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-31249 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RHU003N03T106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:- 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-37400 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RJU002N06FRAT106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:- 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：200mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-45332 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RHU002N06FRAT106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:- 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：200mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-45345 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RHU003N03FRAT106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:- 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-46641 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： RJU003N03FRAT106复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1V @ 1mA Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 250mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):250mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:- 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):200mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 300mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:24pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:200mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：200mW（Ta）	丝印：外壳：封装：UMT3 料号：JTG8-46734 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

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