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SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件

SMC Diode Solutions

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品牌： SMC Diode Solutions复制 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE SCHOTTKY 200V 10A DO201AD
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替代：
二极管类型：肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：
速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
丝印：
外壳：
封装：DO-201AD
料号：E3-4721
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.124300
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可供数量:咨询
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描述： DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO201AD
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替代：
二极管类型：肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：
速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
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封装：DO-201AD
料号：E3-6380
包装： 带卷（TR）
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描述： DIODE SCHOTTKY 60V 20A DO201AD
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二极管类型：肖特基
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描述： DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD
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包装： 带卷（TR）
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料号：E3-14428
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描述： DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
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描述： DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
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外壳：
封装：DO-201AD
料号：E3-14873
包装：
参考价格:￥0.124300
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参考价格:￥0.124300
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品牌： SMC Diode Solutions复制 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:800V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:250ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:250pF @ 5V， 1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：5A
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丝印：
外壳：
封装：DO-201AD
料号：E3-16370
包装：
参考价格:￥0.124300
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总额：
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品牌： SMC Diode Solutions复制 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE SCHOTTKY 40V DO-201AD
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:800V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:250ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:250pF @ 5V， 1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带盒（TB）
替代：
二极管类型：肖特基
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
丝印：
外壳：
封装：DO-201AD
料号：E3-18032
包装： 带盒（TB）
参考价格:￥0.124300
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可供数量:咨询
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品牌： SMC Diode Solutions复制 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:800V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:250ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:250pF @ 5V， 1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带盒（TB） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）
替代：
二极管类型：肖特基
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封装：DO-201AD
料号：E3-18067
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.124300
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品牌： SMC Diode Solutions复制 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:800V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 3A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:150ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:250ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:250pF @ 5V， 1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带盒（TB） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V *电流 - 平均整流（io）:3A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR） *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V *电流 - 平均整流（io）:5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：5A
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反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
丝印：
外壳：
封装：DO-201AD
料号：E3-18483
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.124300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SB540TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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