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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 60V TO220S
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：85A（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：100W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220S
料号：JTG8-5186
包装：
参考价格:￥15.221100
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可供数量:咨询
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替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：80W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220S
料号：JTG8-5434
包装：
参考价格:￥15.221100
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 40V TO-220S
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):85A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：70A（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：80W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220S
料号：JTG8-5436
包装：
参考价格:￥15.221100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK3800' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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