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Toshiba Semiconductor 东芝

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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
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替代：
二极管类型：肖特基
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：30µA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：CST2
料号：E3-15932
包装：
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可供数量:咨询
个
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丝印：
外壳：
封装：CST2
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:350mV @ 100mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:42pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:340mV @ 100mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:16pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:1.6ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:0.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:25pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:350mV @ 100mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:42pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:340mV @ 100mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:16pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:1.6ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:0.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:15µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:
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二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：500mA
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：15µA @ 40V
丝印：
外壳：
封装：CST2
料号：E3-25611
包装：
参考价格:￥0.339000
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