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Toshiba Semiconductor 东芝

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
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替代：
二极管类型：肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：450mV @ 1A
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反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-5759
包装：
参考价格:￥1.152600
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丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-6638
包装：
参考价格:￥1.152600
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描述： DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
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描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
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丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-12561
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参考价格:￥1.152600
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描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
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描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
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丝印：
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料号：E3-12564
包装：
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丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-14290
包装：
参考价格:￥1.152600
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二极管类型：标准
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参考价格:￥1.152600
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料号：E3-14488
包装：
参考价格:￥1.152600
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描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT
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参考价格:￥1.152600
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
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替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：1.5A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：460mV @ 1.5A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-15850
包装：
参考价格:￥1.152600
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参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:490mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:90pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-16111
包装：
参考价格:￥1.152600
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
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二极管类型：肖特基
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参考价格:￥1.152600
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
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替代：
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丝印：
外壳：
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料号：E3-17197
包装：
参考价格:￥1.152600
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A SFLAT
参数： *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:490mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 700mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:100ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:700mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 1.5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:90pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:表面贴装型 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:表面贴装型 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:47pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：1A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：510mV @ 1A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100µA @ 40V
丝印：
外壳：
封装：S-FLAT（1.6X3.5）
料号：E3-17243
包装：
参考价格:￥1.152600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CRS04(TE85L,Q,M)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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