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Toshiba Semiconductor 东芝

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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： DTMOS VI DFN 88 PD=130W F=1MHZ
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：5-DFN（8x8）
料号：JTG8-45587
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:210 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 610µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:170 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 730µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):29nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1635pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150W（Tc） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):24A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1.02mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:190W（Tc） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:99 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1.27mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):47nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2780pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:230W（Tc） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：230W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：5-DFN（8x8）
料号：JTG8-45608
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TK099V65Z,LQ' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
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