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Toshiba Semiconductor 东芝

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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 20V .5A CST4
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4V 不同id,vgs 时的rds on:205 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.1V @ 1mA *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:174pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta）
Vgs(最大值)：±12V
fet 功能：-
功率 - 最大值：400mW（Ta）
丝印：
外壳：
封装：CST4（1.2x0.8）
料号：JTG8-15672
包装：
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现货库存:0
可供数量:咨询
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描述： MOSFET N-CH 20V .5A CST4
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现货库存:0
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