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Toshiba Semiconductor 东芝

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晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： TK6P53D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：525V 电流 - 连续漏极(id)：6A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-5581 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK7P50D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-5582 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK4P50D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：4A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9296 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK4P55DA(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.45 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：550V 电流 - 连续漏极(id)：3.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9297 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK4P55D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.45 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.88 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：550V 电流 - 连续漏极(id)：4A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9419 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK4P60DA(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.45 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.88 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：3.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9420 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK5P50D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.45 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.88 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9421 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK4P60DB(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.45 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.88 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：3.7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9473 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TK5P53D(T6RSS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.22 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.45 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.88 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):3.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 欧姆 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):3.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:525V 电流 - 连续漏极(id):5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：525V 电流 - 连续漏极(id)：5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：D-Pak 料号：JTG8-9474 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.107600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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