Toshiba公司介绍和产品目录_Toshiba Semiconductor_东芝专区_授权代理商

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： TK20E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：165W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1643 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1828 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK12E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-2357 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK56E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 56A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：168W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5102 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35E10K3(S1SS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：- 漏源极电压（vdss）：- 电流 - 连续漏极(id)：- Vgs(最大值)：- fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5217 包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 80V 55A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：72W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5982 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK40E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 60V 40A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：40A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：67W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6658 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK32E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 60A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：98W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6667 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK34E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：103W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6668 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK40E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 100V 90A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：126W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6676 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK100E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 60V 100A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6686 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK14E65W,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：13.7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：130W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6695 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK42E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 88A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：88A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-7387 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK100E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 100A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-21593 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK65E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 100V 148A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：148A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：192W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-23878 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK72E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 80V 72A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：192W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-23922 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK25E60X,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：25A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：180W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-24528 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK100E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 80V 100A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-24586 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK30E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 60V 43A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):43A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： TK58E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 60V 58A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):43A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:53W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):58A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.4 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：58A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-33479 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： TK20E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：165W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1643 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1828 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK12E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-2357 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK56E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 56A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：168W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5102 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35E10K3(S1SS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：- 漏源极电压（vdss）：- 电流 - 连续漏极(id)：- Vgs(最大值)：- fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5217 包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 80V 55A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：72W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-5982 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK40E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 60V 40A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：40A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：67W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6658 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK32E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 60A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：98W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6667 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK34E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：103W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6668 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK40E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 100V 90A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：126W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6676 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK100E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 60V 100A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6686 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK14E65W,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：13.7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：130W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-6695 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK42E12N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 120V 88A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：120V 电流 - 连续漏极(id)：88A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-7387 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK100E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 100A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-21593 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK65E10N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 100V 148A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：148A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：192W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-23878 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK72E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 80V 72A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：192W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-23922 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK25E60X,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：25A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：180W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-24528 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK100E08N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 80V 100A TO220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：255W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-24586 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK30E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 60V 43A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):43A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： TK58E06N1,S1X复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 60V 58A TO-220 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):56A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:168W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12.2 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:72W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):40A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:10.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:67W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.8 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:98W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:103W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):49nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:126W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):13.7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 690µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:130W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:120V 电流 - 连续漏极(id):88A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:9.4 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3100pF @ 60V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8800pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):148A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):72A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:4.3 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):25A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:125 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:180W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):100A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:255W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):43A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:53W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):58A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5.4 毫欧 @ 29A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3400pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：58A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-33479 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥34.272900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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