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Toshiba Semiconductor 东芝

Toshiba

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： TK1R4F04PB,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR TO 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：205W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-45580 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： TK200F04N1L,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：200A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-45596 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： XK1R9F10QB,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR TO 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-45602 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： TK60F10N1L,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 60A AEC-Q101 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.11 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4320pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：205W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-47531 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： TJ200F04M3L,LXHQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR TO 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.11 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4320pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):460nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1280pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：200A（Ta） Vgs(最大值)：+10V，-20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-47634 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： TK160F10N1L,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 160A AEC-Q101 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.11 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4320pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):460nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1280pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-47648 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： TK160F10N1,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR TO 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.11 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4320pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):460nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1280pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):121nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8510pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-47658 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： TK160F10N1L,LQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.11 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4320pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):460nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1280pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):121nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8510pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：160A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-49283 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥11.254800	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： TKR74F04PB,LXGQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 40V 250A AEC-Q101 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 80A，6V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):103nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5500pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):214nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.92 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):184nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1150pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):60A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.11 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4320pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:205W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):200A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):460nC @ 10V Vgs(最大值):+10V，-20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1280pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):121nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8510pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):160A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):122nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10100pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):250A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:740µ欧姆 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):227nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:14200pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:375W（Tc）工作温度:175°C 安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：250A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：375W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM（W）料号：JTG8-52273 包装：	参考价格:￥11.254800	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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