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Toshiba Semiconductor 东芝

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晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： 2SK2993(TE24L,Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM 料号：JTG8-18884 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK3068(TE24L,Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：12A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：100W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM 料号：JTG8-18886 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK3127(TE24L,Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):66nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：45A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：65W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM 料号：JTG8-18887 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK2266(TE24R,Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):66nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:30 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：45A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：65W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM 料号：JTG8-19062 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK3309(TE24L,Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):66nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:30 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：450V 电流 - 连续漏极(id)：10A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：65W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM 料号：JTG8-19065 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 2SK2883(TE24L,Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:100W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):66nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):45A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V，10V 不同id,vgs 时的rds on:30 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:650 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:920pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:65W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:3.6 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：800V 电流 - 连续漏极(id)：3A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：75W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SM 料号：JTG8-19363 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

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