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Toshiba Semiconductor 东芝

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(64) { ["id"]=> string(5) "18880" ["pdf_add"]=> string(64) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/2SK2847.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/On_Semi_Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(13) "2SK2847(F)-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "2SK2847(F)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933673" ["ms"]=> string(26) "MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "900V" ["dl_lxlj"]=> string(10) "8A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "1.4 欧姆 @ 4A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "58nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "2040pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "85W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(14) "TO-3P（N）IS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： 2SK2847(F)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2847(F)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2847(F)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:900V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：900V
电流 - 连续漏极(id)：8A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：85W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-3P（N）IS
料号：JTG8-18880
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2847(F)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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array(64) { ["id"]=> string(5) "18881" ["pdf_add"]=> string(75) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/2SK2916_Rev2009_DS.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/On_Semi_Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(13) "2SK2916(F)-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "2SK2916(F)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933673" ["ms"]=> string(27) "MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "500V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "14A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "400 毫欧 @ 7A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "58nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "2600pF @ 10V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "80W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(14) "TO-3P（N）IS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： 2SK2916(F)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2916(F)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2916(F)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:900V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：14A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：80W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-3P（N）IS
料号：JTG8-18881
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2916(F)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
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array(64) { ["id"]=> string(5) "18882" ["pdf_add"]=> string(66) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/2SK2917DS.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/On_Semi_Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(13) "2SK2917(F)-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "2SK2917(F)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933673" ["ms"]=> string(27) "MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "500V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "18A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "270 毫欧 @ 10A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(8) "4V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "80nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±30V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "3720pF @ 10V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "90W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(14) "TO-3P（N）IS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： 2SK2917(F)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2917(F)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2917(F)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:900V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3720pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：18A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：90W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-3P（N）IS
料号：JTG8-18882
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2917(F)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
咨询客服
array(64) { ["id"]=> string(5) "18885" ["pdf_add"]=> string(64) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Toshiba%20PDFs/2SK2995.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["images"]=> string(86) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/On_Semi_Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(13) "2SK2995(F)-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "2SK2995(F)" ["zddgs"]=> string(2) "50" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1708933673" ["ms"]=> string(27) "MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Toshiba Semiconductor" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "30A（Ta）" ["qddy"]=> string(3) "10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "68 毫欧 @ 15A，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(10) "3.5V @ 1mA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(11) "132nC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(12) "5400pF @ 10V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(11) "90W（Tc）" ["gzwd"]=> string(14) "150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(14) "TO-3P（N）IS" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： 2SK2995(F)复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2995(F)' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SK2995(F)' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:900V *电流 - 连续漏极(id):8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):14A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):80nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3720pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:68 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):132nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：90W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-3P（N）IS
料号：JTG8-18885
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2995(F)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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