首页 >> 所有制造商 >>

VBsemi(微碧半导体)

官网

封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(64) { ["id"]=> string(5) "55206" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(17) "IRFS17N20DTRLP-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.150000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(82) "N—Channel沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(17) "N—Channel沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "200V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "40A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRFS17N20DTRLP-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS17N20DTRLP-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(17) "IRFS17N20DTRLP-VB" ["price"]=> string(4) "5.15" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS17N20DTRLP-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N—Channel沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极(id)：40A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55206
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "6.1800" [2]=> string(6) "5.9225" [3]=> string(6) "5.5105" [4]=> string(6) "5.4333" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥6.1800
250+:￥5.9225
500+:￥5.5105
1000+:￥5.4333
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFS17N20DTRLP-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55207" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FS23N15DP-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.150000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(82) "N—Channel沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(17) "N—Channel沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "200V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "40A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： FS23N15DP-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS23N15DP-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(12) "FS23N15DP-VB" ["price"]=> string(4) "5.15" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS23N15DP-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N—Channel沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.3Vth(V) 封装：TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极(id)：40A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55207
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "6.1800" [2]=> string(6) "5.9225" [3]=> string(6) "5.5105" [4]=> string(6) "5.4333" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥6.1800
250+:￥5.9225
500+:￥5.5105
1000+:￥5.4333
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS23N15DP-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55209" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(8) "VBL1254N" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "7.350000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(93) "N—Channel沟道,250V,45A,RDS(ON),47mΩ@10V,56.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(17) "N—Channel沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "45A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： VBL1254N复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VBL1254N' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(8) "VBL1254N" ["price"]=> string(4) "7.35" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VBL1254N' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N—Channel沟道,250V,45A,RDS(ON),47mΩ@10V,56.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V) 封装：TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：45A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55209
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "8.8200" [2]=> string(6) "8.4525" [3]=> string(6) "7.8645" [4]=> string(6) "7.7543" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥8.8200
250+:￥8.4525
500+:￥7.8645
1000+:￥7.7543
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VBL1254N' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55212" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(19) "RJK5012DPE-00-J3-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.150000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(83) "N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(17) "N—Channel沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "650V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "12A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： RJK5012DPE-00-J3-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RJK5012DPE-00-J3-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(19) "RJK5012DPE-00-J3-VB" ["price"]=> string(4) "5.15" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RJK5012DPE-00-J3-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极(id)：12A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55212
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "6.1800" [2]=> string(6) "5.9225" [3]=> string(6) "5.5105" [4]=> string(6) "5.4333" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥6.1800
250+:￥5.9225
500+:￥5.5105
1000+:￥5.4333
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RJK5012DPE-00-J3-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55230" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FDB047N10-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(63) "N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "110A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： FDB047N10-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDB047N10-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(12) "FDB047N10-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDB047N10-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：110A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55230
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDB047N10-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55234" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "PSMN3R8-100BS-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(63) "N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "110A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： PSMN3R8-100BS-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PSMN3R8-100BS-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(16) "PSMN3R8-100BS-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PSMN3R8-100BS-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：110A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55234
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PSMN3R8-100BS-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55235" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "PSMN5R6-100BS-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(63) "N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "110A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： PSMN5R6-100BS-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PSMN5R6-100BS-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(16) "PSMN5R6-100BS-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PSMN5R6-100BS-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：110A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55235
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PSMN5R6-100BS-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55236" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(11) "RU1H130S-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(63) "N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "110A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： RU1H130S-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RU1H130S-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(11) "RU1H130S-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RU1H130S-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：110A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55236
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RU1H130S-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55238" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(17) "IPB100N10S3-05-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(63) "N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "110A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IPB100N10S3-05-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB100N10S3-05-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(17) "IPB100N10S3-05-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB100N10S3-05-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：110A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55238
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB100N10S3-05-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55239" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(10) "FDB3632-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(63) "N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(4) "110A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： FDB3632-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDB3632-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(10) "FDB3632-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDB3632-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：110A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55239
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDB3632-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55276" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "IRL530NSPBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.770000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(78) "N沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "20A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRL530NSPBF-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRL530NSPBF-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(14) "IRL530NSPBF-VB" ["price"]=> string(4) "1.77" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRL530NSPBF-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：20A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55276
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "2.1240" [2]=> string(6) "2.0355" [3]=> string(6) "1.8939" [4]=> string(6) "1.8674" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥2.1240
250+:￥2.0355
500+:￥1.8939
1000+:￥1.8674
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRL530NSPBF-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55277" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "IRF510STRL-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.770000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(78) "N沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "20A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRF510STRL-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF510STRL-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(13) "IRF510STRL-VB" ["price"]=> string(4) "1.77" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF510STRL-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：20A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55277
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "2.1240" [2]=> string(6) "2.0355" [3]=> string(6) "1.8939" [4]=> string(6) "1.8674" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥2.1240
250+:￥2.0355
500+:￥1.8939
1000+:￥1.8674
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF510STRL-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55278" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "IRF530SPBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.770000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(78) "N沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "20A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRF530SPBF-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF530SPBF-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(13) "IRF530SPBF-VB" ["price"]=> string(4) "1.77" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF530SPBF-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.7Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：20A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55278
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "2.1240" [2]=> string(6) "2.0355" [3]=> string(6) "1.8939" [4]=> string(6) "1.8674" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥2.1240
250+:￥2.0355
500+:￥1.8939
1000+:￥1.8674
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF530SPBF-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55289" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "BUK7640-100A-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.650000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(74) "N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "45A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： BUK7640-100A-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK7640-100A-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(15) "BUK7640-100A-VB" ["price"]=> string(4) "2.65" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK7640-100A-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：45A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55289
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "3.1800" [2]=> string(6) "3.0475" [3]=> string(6) "2.8355" [4]=> string(6) "2.7958" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥3.1800
250+:￥3.0475
500+:￥2.8355
1000+:￥2.7958
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7640-100A-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55290" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(9) "AOB416-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.650000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(74) "N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "45A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： AOB416-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOB416-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(9) "AOB416-VB" ["price"]=> string(4) "2.65" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOB416-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：45A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55290
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "3.1800" [2]=> string(6) "3.0475" [3]=> string(6) "2.8355" [4]=> string(6) "2.7958" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥3.1800
250+:￥3.0475
500+:￥2.8355
1000+:￥2.7958
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOB416-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55299" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "IRL2910SPBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "3.240000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(74) "N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "70A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRL2910SPBF-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRL2910SPBF-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(14) "IRL2910SPBF-VB" ["price"]=> string(4) "3.24" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRL2910SPBF-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：70A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55299
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "3.8880" [2]=> string(6) "3.7260" [3]=> string(6) "3.4668" [4]=> string(6) "3.4182" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥3.8880
250+:￥3.7260
500+:￥3.4668
1000+:￥3.4182
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRL2910SPBF-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55300" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "IPB26CN10NG-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "3.240000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(74) "N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "100V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "70A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IPB26CN10NG-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB26CN10NG-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(14) "IPB26CN10NG-VB" ["price"]=> string(4) "3.24" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPB26CN10NG-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：70A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55300
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "3.8880" [2]=> string(6) "3.7260" [3]=> string(6) "3.4668" [4]=> string(6) "3.4182" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥3.8880
250+:￥3.7260
500+:￥3.4668
1000+:￥3.4182
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPB26CN10NG-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55304" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(18) "IRFS41N15DTRPBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(65) "N沟道,150V,55A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V)；4.7Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "150V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "55A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRFS41N15DTRPBF-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS41N15DTRPBF-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(18) "IRFS41N15DTRPBF-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS41N15DTRPBF-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,150V,55A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V)；4.7Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极(id):55A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：150V
电流 - 连续漏极(id)：55A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55304
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFS41N15DTRPBF-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55320" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "IRFS4115PBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(76) "N沟道,150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "150V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "90A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRFS4115PBF-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS4115PBF-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(14) "IRFS4115PBF-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS4115PBF-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极(id):55A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极(id):90A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：150V
电流 - 连续漏极(id)：90A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55320
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFS4115PBF-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
array(64) { ["id"]=> string(5) "55321" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> NULL ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "IRFS4321PBF-VB" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "5.900000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(76) "N沟道,150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；TO263" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(23) "VBsemi(微碧半导体)" ["fetlx"]=> string(7) "N沟道" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "150V" ["dl_lxlj"]=> string(3) "90A" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(0) "" ["vgs_zdz"]=> NULL ["bt_vds_srdr"]=> string(0) "" ["fetgn"]=> NULL ["gn_zdz"]=> NULL ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(0) "" ["fz_wk"]=> string(0) "" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO263" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(4) "1000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> NULL ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> NULL ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> NULL ["yqjtd_jianrong"]=> NULL }
状态： 在售
型号： IRFS4321PBF-VB复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS4321PBF-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "370" ["zzsbh"]=> string(14) "IRFS4321PBF-VB" ["price"]=> string(3) "5.9" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(0) "" ["sprice_1"]=> string(0) "" ["num_2"]=> string(0) "" ["sprice_2"]=> string(0) "" ["num_3"]=> string(0) "" ["sprice_3"]=> string(0) "" ["num_4"]=> string(0) "" ["sprice_4"]=> string(0) "" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFS4321PBF-VB' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；TO263
参数： *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):40A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N—Channel沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):12A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):110A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):20A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):45A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):70A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极(id):55A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极(id):90A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N沟道 技术: *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极(id):90A 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型:
替代：
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：150V
电流 - 连续漏极(id)：90A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
外壳：
封装：TO263
料号：JTG8-55321
包装： 1000个/
array(3) { ["dj"]=> array(4) { [1]=> string(6) "7.0800" [2]=> string(6) "6.7850" [3]=> string(6) "6.3130" [4]=> string(6) "6.2245" } ["lx"]=> string(1) "1" ["moq"]=> array(4) { [1]=> int(10) [2]=> int(250) [3]=> int(500) [4]=> string(4) "1000" } }
10+:￥7.0800
250+:￥6.7850
500+:￥6.3130
1000+:￥6.2245
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFS4321PBF-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
可供数量:咨询
个
总额：
  共有430个记录    每页显示20条，本页1-20条    1/22页   1  2  3  4  5   下一页    尾 页      

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2024 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922