Vishay公司介绍和产品目录_Vishay_威世专区_授权代理商 - 辰科物联

首页 >> 所有制造商 >> Vishay

Vishay 威世

Vishay

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： SIZ910DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V *功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（半桥） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：40A 功率 - 最大值：48W，100W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-573 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ300DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（半桥） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：11A，28A 功率 - 最大值：16.7W，31W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-830 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ914DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A，40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1208pF @ 15V *功率 - 最大值:22.7W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（半桥） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：16A，40A 功率 - 最大值：22.7W，100W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-883 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ902DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A，40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1208pF @ 15V 功率 - 最大值:22.7W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 13.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V 功率 - 最大值:29W，66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（半桥） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：16A 功率 - 最大值：29W，66W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-1611 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ926DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A，40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1208pF @ 15V 功率 - 最大值:22.7W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 13.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V 功率 - 最大值:29W，66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V *功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：25V 电流 - 连续漏极（id）：40A（Tc），60A（Tc）功率 - 最大值：20.2W，40W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-3233 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ988DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A，40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1208pF @ 15V 功率 - 最大值:22.7W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 13.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V 功率 - 最大值:29W，66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V，4.1 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V，23.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 15V，2425pF @ 15V 功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：40A（Tc），60A（Tc）功率 - 最大值：20.2W，40W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-3359 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ998DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A，40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1208pF @ 15V 功率 - 最大值:22.7W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 13.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V 功率 - 最大值:29W，66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V，4.1 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V，23.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 15V，2425pF @ 15V 功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:20A (Tc)，60A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，10V，2.8 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 15V，2620pF @ 15V *功率 - 最大值:20.2W，32.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（双），肖特基 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：20A (Tc)，60A (Tc) 功率 - 最大值：20.2W，32.9W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-3365 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SIZ980DT-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:11A，28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 9.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V 功率 - 最大值:16.7W，31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A，40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1208pF @ 15V 功率 - 最大值:22.7W，100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 13.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V 功率 - 最大值:29W，66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:40A（Tc），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V，4.1 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 4.5V，23.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 15V，2425pF @ 15V 功率 - 最大值:20.2W，40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:20A (Tc)，60A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，10V，2.8 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 15V，2620pF @ 15V 功率 - 最大值:20.2W，32.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:20A (Tc)，60A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，10V，1.6 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 4.5V，35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 15V，4600pF @ 15V 功率 - 最大值:20W，66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（双），肖特基 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：20A (Tc)，60A (Tc) 功率 - 最大值：20W，66W	丝印：外壳：封装：8-POWERPAIR® 料号：JTG10-3367 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

共有8个记录每页显示8条，本页1-8条 1/1页 1

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！

去购物车结算继续采购

复制成功

IC型号索引：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

购物指南

注册登录

找回密码

购物流程

常见问题

支付方式

配送方式

联系我们

直线：0755-28435922

总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼

联系我们

公司简介

关注我们

微信扫码

辰科物联介绍

粤公网安备号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2024 深圳市辰科物联有限公司版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922