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Vishay 威世

Vishay

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 [清除]

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	状态：在售型号： SQJQ960EL-T1_GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:63A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V *功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极（id）：63A（Tc）功率 - 最大值：71W	丝印：外壳：封装：POWERPAK® 8 X 8 双料号：JTG10-3137 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SQJQ910EL-T1_GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:63A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极（id）:70A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2832pF @ 50V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极（id）：70A（Tc）功率 - 最大值：187W	丝印：外壳：封装：POWERPAK® 8 X 8 双料号：JTG10-3186 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SQJQ904E-T1_GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:63A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极（id）:70A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2832pF @ 50V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:100A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5900pF @ 20V *功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极（id）：100A（Tc）功率 - 最大值：75W	丝印：外壳：封装：POWERPAK® 8 X 8 双料号：JTG10-3188 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SQJQ906E-T1_GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:63A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极（id）:70A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2832pF @ 50V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:100A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5900pF @ 20V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:95A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极（id）：95A（Tc）功率 - 最大值：50W	丝印：外壳：封装：POWERPAK® 8 X 8 双料号：JTG10-3255 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SQJQ980EL-T1_GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:63A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极（id）:70A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2832pF @ 50V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:100A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5900pF @ 20V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:95A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极（id）:36A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V *功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极（id）：36A（Tc）功率 - 最大值：187W	丝印：外壳：封装：POWERPAK® 8 X 8 双料号：JTG10-3256 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SQJQ906EL-T1_GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:63A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 功率 - 最大值:71W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极（id）:70A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2832pF @ 50V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:100A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5900pF @ 20V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:95A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极（id）:36A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极（id）:160A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 功率 - 最大值:187W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极（id）：160A（Tc）功率 - 最大值：187W	丝印：外壳：封装：POWERPAK® 8 X 8 双料号：JTG10-3260 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

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