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Vishay 威世

Vishay

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 [清除]

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	状态：在售型号： SISF00DN-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 参数： fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V *功率 - 最大值:69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N 沟道（双）共漏 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：60A（Tc）功率 - 最大值：69.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：PowerPAK® 1212-8SCD 料号：JTG10-3571 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SISF04DN-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8 参数： fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:30A（Ta），108A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N 沟道（双）共漏 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：30A（Ta），108A（Tc）功率 - 最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：PowerPAK® 1212-8SCD 料号：JTG10-3570 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SISF20DN-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD 参数： fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:30A（Ta），108A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:14A（Ta），52A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1290pF @ 30V *功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极（id）：14A（Ta），52A（Tc）功率 - 最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：PowerPAK® 1212-8SCD 料号：JTG10-3682 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SISF06DN-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S 参数： fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:30A（Ta），108A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:14A（Ta），52A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1290pF @ 30V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:28A（Ta），101A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2050pF @ 15V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N 沟道（双）共漏 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：28A（Ta），101A（Tc）功率 - 最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：PowerPAK® 1212-8SCD 料号：JTG10-3888 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SISF02DN-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 参数： fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:30A（Ta），108A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:14A（Ta），52A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1290pF @ 30V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:28A（Ta），101A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2050pF @ 15V 功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极（id）:30.5A（Ta），60A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V *功率 - 最大值:5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N 沟道（双）共漏 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：25V 电流 - 连续漏极（id）：30.5A（Ta），60A（Tc）功率 - 最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）	丝印：外壳：封装：PowerPAK® 1212-8SCD 料号：JTG10-3909 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

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