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描述:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
参数:
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外壳:
封装:SC-70-6(SOT-363)
料号:JTG10-45
包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1922EDH-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
咨询客服
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描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
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fet 类型:2 N-通道(双)
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外壳:
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包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1902DL-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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咨询客服
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描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
参数:
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fet 类型:2 N-通道(双)
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漏源极电压(vdss):60V
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封装:SC-70-6(SOT-363)
料号:JTG10-47
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1926DL-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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咨询客服
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包装:
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描述:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
参数:
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fet 类型:2 个 P 沟道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):20V
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功率 - 最大值:1.25W
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外壳:
封装:SC-70-6(SOT-363)
料号:JTG10-1308
包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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咨询客服
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描述:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
参数:
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fet 功能:逻辑电平门
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外壳:
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料号:JTG10-1340
包装:
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描述:
MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
参数:
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描述:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):198 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):700mA,500mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 700mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):38pF @ 10V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):540mA,420mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):290mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.9 欧姆 @ 290mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型:N 和 P 沟道
fet 功能:逻辑电平门
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包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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外壳:
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料号:JTG10-2310
包装:
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描述:
MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6
参数:
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描述:
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):198 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):700mA,500mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 700mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):38pF @ 10V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):540mA,420mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):290mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.9 欧姆 @ 290mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V,8V *电流 - 连续漏极(id):660mA,570mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 功能:逻辑电平门
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包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1563DH-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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型号: SI1563EDH-T1-E3复制
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MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
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*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):198 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):700mA,500mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 700mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):38pF @ 10V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):540mA,420mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):290mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.9 欧姆 @ 290mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V,8V *电流 - 连续漏极(id):660mA,570mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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包装:
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MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
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*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):198 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):700mA,500mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 700mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):38pF @ 10V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):540mA,420mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):290mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.9 欧姆 @ 290mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V,8V *电流 - 连续漏极(id):660mA,570mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):995 毫欧 @ 410mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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描述:
MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
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包装:
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型号: SI1912EDH-T1-E3复制
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描述:
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):198 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):700mA,500mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 700mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):38pF @ 10V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):540mA,420mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):290mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.9 欧姆 @ 290mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA,410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V,8V *电流 - 连续漏极(id):660mA,570mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A,880mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):410mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):995 毫欧 @ 410mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):8V *电流 - 连续漏极(id):570mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):600 毫欧 @ 570mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.13A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):280 毫欧 @ 1.13A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 100µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):20V
电流 - 连续漏极(id):1.13A
功率 - 最大值:570mW
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外壳:
封装:SC-70-6(SOT-363)
料号:JTG10-2316
包装:
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