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WeEn Semiconductors

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状态： 在售
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品牌： WeEn Semiconductors复制
描述： DUAL HYPERFAST POWER DIODE
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装:
替代：
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：10A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.5V @ 5A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：40ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 400V
丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-24472
包装：
参考价格:￥7.729200
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可供数量:咨询
个
总额：
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描述： STANDARD POWER DIODE
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 8A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装:
替代：
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：8A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.2V @ 8A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 1600V
丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-24491
包装：
参考价格:￥7.729200
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品牌： WeEn Semiconductors复制
描述： STANDARD POWER DIODE
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 8A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 10A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装:
替代：
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：10A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.3V @ 10A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-24492
包装：
参考价格:￥7.729200
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型号： BYR29X-800PQ复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYR29X-800PQ' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYR29X-800PQ' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： WeEn Semiconductors复制
描述： DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 8A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 10A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:55ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
替代：
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：8A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 8A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：55ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 800V
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封装：TO-220F
料号：E3-36393
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品牌： WeEn Semiconductors复制
描述： DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 8A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 10A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:55ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.38V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:60ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 30A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:75ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
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品牌： WeEn Semiconductors复制
描述： DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 8A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 10A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:55ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.38V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:60ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 30A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:75ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:4A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:170µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:130pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-36503
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参考价格:￥7.729200
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-36506
包装：
参考价格:￥7.729200
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替代：
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：10A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 10A
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反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：250µA @ 650V
丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-36512
包装：
参考价格:￥7.729200
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品牌： WeEn Semiconductors复制
描述： DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 8A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 10A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:55ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.38V @ 15A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:60ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 30A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:75ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:4A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:170µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:130pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:190pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:230µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:260pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:300pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:75ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：9A
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速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：75ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 600V
丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：E3-36545
包装：
参考价格:￥7.729200
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