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Winbond Electronics 华邦

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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb （8M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-35280
包装： 标准卷带
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb （8M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
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个
咨询客服
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描述： IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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描述： IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb （8M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-35592
包装： 标准卷带
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描述： IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （16M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-35602
包装： 托盘
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描述： IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb （8M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-35675
包装： 托盘
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描述： IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：64Mb （4M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-39999
包装： 托盘
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丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-53432
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参考价格:￥47.335700
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类别： 存储器
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存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：64Mb（4M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-53660
包装： 托盘
参考价格:￥47.335700
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描述： 128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ
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替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
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丝印：
外壳：
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替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb（16M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-54678
包装： 卷带（TR）
参考价格:￥47.335700
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替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb（8M x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 2.3V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-54744
包装： 卷带（TR）
参考价格:￥47.335700
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可供数量:咨询
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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb（16M x 16）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：54-TFBGA（8x8）
料号：C1-54768
包装： 卷带（TR）
参考价格:￥47.335700
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现货库存:0
可供数量:咨询
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总额：
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