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Winbond Electronics 华邦

Winbond

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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （8M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-33712
包装：
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可供数量:咨询
个
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描述： IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：512Mb （16M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-33722
包装： 剪切带（CT）
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咨询客服
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：512Mb （16M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-33760
包装： 托盘
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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：512Mb（16M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-33767
包装： 240个/ 托盘
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描述： IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （32M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-34350
包装： 托盘
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替代：
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外壳：
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存储器格式：DRAM
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丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb （4M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-35096
包装： 标准卷带
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
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电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-35171
包装： 托盘
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替代：
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电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
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包装： 托盘
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替代：
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丝印：
外壳：
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品牌： Winbond Electronics复制 Winbond 华邦
描述： IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （16M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （16M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb（16M x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:1Gb （32M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （8M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-35187
包装： 标准卷带
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'W948D2FBJX6E TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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