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Toshiba Semiconductor 东芝

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二极管 - 整流器 - 单路 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： CMH05(TE12L,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.3V @ 1A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 400V	丝印：外壳：封装：M-FLAT（2.4x3.8）料号：E3-32036 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： CMH08(TE12L,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.3V @ 2A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 400V	丝印：外壳：封装：M-FLAT（2.4x3.8）料号：E3-32037 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： CRG09(TE85L,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 700mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 400V	丝印：外壳：封装：S-FLAT（1.6x3.5）料号：E3-32038 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： CRG09A,LQ(M复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 700mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 400V	丝印：外壳：封装：S-FLAT（1.6x3.5）料号：E3-32953 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DSF01S30SC,L3F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：500mV @ 100mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 30V	丝印：外壳：封装：SC2 料号：E3-33091 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： CUHS15F30,H3F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： SBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:520mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：520mV @ 1.5A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 30V	丝印：外壳：封装：US2H 料号：E3-41273 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： CUHS15S40,H3F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： SBD SINGLE 40V, 1.5A, IN 2 PIN U 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:520mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：510mV @ 1.5A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 40V	丝印：外壳：封装：US2H 料号：E3-41274 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： CUHS15S30,H3F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： SBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 700mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:520mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:170pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:150°C 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:430mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型标签: 工作温度 - 结:表面贴装型包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：430mV @ 1.5A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：500µA @ 30V	丝印：外壳：封装：US2H 料号：E3-41275 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

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