Central公司介绍和产品目录_Central Semiconductor Corp_中央半导体专区_授权代理商

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CMOD4448 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-523 料号：E3-4455 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-10M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-4473 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N4937 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4794 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5817 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4795 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5818 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4796 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5819 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4797 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMPD6001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-23 料号：E3-5035 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5040 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-06 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5151 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-100M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5163 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-20 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5173 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-06 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5203 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSSH-3 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-323 料号：E3-5221 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMPSH-3 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT23 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-23 料号：E3-5251 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-02 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5338 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMDD4448 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-323 料号：E3-5393 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMDD6001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-323 料号：E3-5394 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMOD6001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-523 料号：E3-5395 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSD4448 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-323 料号：E3-5396 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMPD5001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 120V 400MA SOT23 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-23 料号：E3-5426 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CMOD4448 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-523 料号：E3-4455 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-10M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-4473 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N4937 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4794 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5817 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4795 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5818 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4796 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5819 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-4797 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMPD6001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-23 料号：E3-5035 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5040 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-06 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5151 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-100M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5163 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-20 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5173 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-06 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5203 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSSH-3 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-323 料号：E3-5221 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMPSH-3 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT23 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-23 料号：E3-5251 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-02 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-5338 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMDD4448 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-323 料号：E3-5393 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMDD6001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-323 料号：E3-5394 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMOD6001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-523 料号：E3-5395 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSD4448 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-323 料号：E3-5396 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMPD5001 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 120V 400MA SOT23 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOT-23 料号：E3-5426 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.226000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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