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描述：
DIODE GEN PURP 800V 9.5A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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二极管类型：标准
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丝印：
外壳：
封装：TO-220 隔离的标片
料号：E3-12581
包装：
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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可供数量:咨询
咨询客服
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二极管类型：标准
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE GEN PURP 1KV 12.7A TO220
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描述：
DIODE GEN PURP 600V 12.7A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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二极管类型：标准
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.6V @ 12.7A
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丝印：
外壳：
封装：TO-220 隔离的标片
料号：E3-13808
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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可供数量:咨询
咨询客服
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描述：
DIODE GEN PURP 400V 12.7A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：12.7A
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速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：4µs
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 400V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-220 隔离的标片
料号：E3-13841
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D4020L' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LFUSCD16065B复制
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描述：
DIODE SIC SCHOTKY 650V 16A TO247
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
|
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：16A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 16A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：460µA @ 650V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-247AD
料号：E3-18761
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LFUSCD16065B' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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array(60) {
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string(5) "18763"
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string(150) "http://www.littelfuse.com/~/media/electronics/datasheets/power_semiconductors/littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lfuscd20065b_datasheet.pd"
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描述：
DIODE SIC SCHOTKY 650V 20A TO247
参数：
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二极管类型：碳化硅肖特基
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丝印：
外壳：
封装：TO-247AD
料号：E3-18763
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SC SCHOTKY 1200V 10A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:580pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:500pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：10A（DC）
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封装：TO-220AC
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE SC SCHOTKY 1200V 15A TO220
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：15A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 15A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：375µA @ 1200V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-220AC
料号：E3-18767
包装：
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描述：
DIODE GEN PURP 400V 9.5A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:580pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:500pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 15A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:375µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:750pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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二极管类型：标准
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丝印：
外壳：
封装：TO-220 隔离的标片
料号：E3-19332
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO247AD
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丝印：
外壳：
封装：TO-247AD
料号：E3-19334
包装：
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描述：
DIODE GEN PURP 400V 12.7A TO220
参数：
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丝印：
外壳：
封装：TO-220 隔离的标片
料号：E3-19338
包装：
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描述：
DIODE GEN PURP 600V 12.7A TO220
参数：
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丝印：
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描述：
DIODE GEN PURP 800V 12.7A TO220
参数：
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丝印：
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料号：E3-19343
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE GEN PURP 400V 15.9A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:580pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:500pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 15A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:375µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:750pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 20A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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型号： D6025LTP复制
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描述：
DIODE GEN PURP 600V 15.9A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:580pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:500pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 15A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:375µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:750pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 20A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
|
二极管类型：标准
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速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-220AB-L
料号：E3-19346
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D6025LTP' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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总额：
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型号： D8025LTP复制
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DIODE GEN PURP 800V 15.9A TO220
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二极管类型：标准
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丝印：
外壳：
封装：TO-220AB-L
料号：E3-19349
包装：
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描述：
DIODE SIC SCHOTTKY 650V 4A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:580pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:500pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 15A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:375µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:750pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 20A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:4A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:170µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：170µA @ 650V
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丝印：
外壳：
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料号：E3-19351
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： D6025L复制
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描述：
DIODE GEN PURP 600V 15.9A TO220
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 16A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:460µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:580pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:500pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 15A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:375µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:750pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 20A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:9.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 9.5A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:12.7A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:20µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:4A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:170µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:175°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:15.9A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 15.9A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：15.9A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.6V @ 15.9A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：4µs
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 600V
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丝印：
外壳：
封装：TO-220 隔离的标片
料号：E3-19840
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D6025L' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
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