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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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功率 - 最大值：150mW
丝印：
外壳：
封装：EMT3F
料号：JTG2-15692
包装：
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可供数量:咨询
个
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描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
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功率 - 最大值：200mW
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT23-3
料号：JTG2-15711
包装：
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描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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丝印：
外壳：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：
外壳：
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料号：JTG2-15722
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：
外壳：
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料号：JTG2-15723
包装：
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描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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功率 - 最大值：200mW
丝印：
外壳：
封装：SMT3
料号：JTG2-15725
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：UMT3
料号：JTG2-15726
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：
外壳：
封装：EMT3
料号：JTG2-15737
包装：
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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