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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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功率 - 最大值：150mW
丝印：
外壳：
封装：SOT-523
料号：JTG2-16367
包装：
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描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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参考价格:￥2.858900
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描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：JTG2-16395
包装：
参考价格:￥2.858900
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描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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料号：JTG2-16400
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参考价格:￥2.858900
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：JTG2-18883
包装：
参考价格:￥2.858900
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晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
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丝印：
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封装：SOT-23-3
料号：JTG2-16402
包装： 带卷（TR）
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封装：SOT-323
料号：JTG2-16403
包装：
参考价格:￥2.858900
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:220 Ohms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10k *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签:
替代：
晶体管类型：-
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：JTG2-16405
包装：
参考价格:￥2.858900
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
参数： *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:220 Ohms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10k *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签:
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封装：SOT-23-3
料号：JTG2-16406
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参考价格:￥2.858900
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:220 Ohms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10k *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签:
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：JTG2-16408
包装：
参考价格:￥2.858900
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:220 Ohms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10k *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:- *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 500µA，5mA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：200mW
丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：JTG2-18884
包装：
参考价格:￥2.858900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA144VUA-7-F' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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