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Toshiba Semiconductor 东芝

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描述： TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI
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丝印：
外壳：
封装：TO-236
料号：JTG1-18
包装：
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可供数量:咨询
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功率 - 最大值：2W
频率 - 跃迁：70MHz
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包装：
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参考价格:￥17.492400
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
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丝印：
外壳：
封装：PW-MOLD2
料号：JTG1-1485
包装：
参考价格:￥17.492400
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS NPN 160V 18A TO-3PL
参数： *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:285V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 62.5mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 62.5mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 300mA，5V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:18A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 900mA，9A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:180W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签:
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描述： TRANS PNP 160V 18A TO-3PL
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晶体管类型：PNP
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包装：
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包装：
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描述： TRANS NPN 50V 0.15A SSM
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功率 - 最大值：100mW
频率 - 跃迁：80MHz
丝印：
外壳：
封装：SSM
料号：JTG1-2564
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参考价格:￥17.492400
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PNP 120V 0.1A USM
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
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丝印：
外壳：
封装：USM
料号：JTG1-2566
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参考价格:￥17.492400
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描述： TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
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晶体管类型：PNP
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料号：JTG1-2570
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PNP 50V 0.15A SSM
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：SSM
料号：JTG1-2761
包装：
参考价格:￥17.492400
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： TRANS PNP 50V 0.15A SSM
参数： *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 100mA，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:285V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 62.5mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，5V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 62.5mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 300mA，5V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:18A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 900mA，9A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:180W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:18A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 900mA，9A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，5V *功率 - 最大值:180W *频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:10W *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:10W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，1V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *功率 - 最大值:100mW *频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C（TJ） 每包数量: 标签:
替代：
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA
不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）：300mV @ 10mA，100mA
功率 - 最大值：100mW
频率 - 跃迁：80MHz
丝印：
外壳：
封装：SSM
料号：JTG1-2762
包装：
参考价格:￥17.492400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1832-Y,LF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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