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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：200mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：400MHz
丝印：
外壳：
封装：VMT6
料号：JTG4-2629
包装：
参考价格:￥0.779700
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
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晶体管类型 ：NPN，PNP
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA，500mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：180MHz，260MHz
丝印：
外壳：
封装：UMT6
料号：JTG4-2639
包装：
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描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
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外壳：
封装：SMT6
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参考价格:￥0.779700
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描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 5SMT
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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描述： TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT
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丝印：
外壳：
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晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：50mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：3.2GHz
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外壳：
封装：EMT6
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参考价格:￥0.779700
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
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替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 PNP（双）
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丝印：
外壳：
封装：UMT6
料号：JTG4-2694
包装：
参考价格:￥0.779700
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 30V 1A 6TSMT
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丝印：
外壳：
封装：TSMT6
料号：JTG4-2695
包装：
参考价格:￥0.779700
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晶体管类型 ：2 NPN（双）
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT
参数： * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA / 600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz，200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:820 @ 4ma，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:360MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:3.2GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
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功率 - 最大值：300mW
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丝印：
外壳：
封装：SMT6
料号：JTG4-2733
包装：
参考价格:￥0.779700
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总额：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
参数： * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA / 600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz，200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:820 @ 4ma，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:360MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:3.2GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：NPN，PNP
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：180MHz，140MHz
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT363
料号：JTG4-2855
包装：
参考价格:￥0.779700
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
参数： * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA / 600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz，200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:820 @ 4ma，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:360MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:3.2GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz，350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：NPN，PNP
电流 - 集电极（ic）（最大值）：200mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：400MHz，350MHz
丝印：
外壳：
封装：EMT6
料号：JTG4-2859
包装：
参考价格:￥0.779700
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
参数： * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA / 600mV @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz，200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:820 @ 4ma，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:260MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- * 功率 - 最大值:- *频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:360MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:3.2GHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:400mW *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 PNP（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V * 功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V * 功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V * 功率 - 最大值:300mW *频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:180MHz，140MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :NPN，PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:400MHz，350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: * 晶体管类型 :2 NPN（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V * 功率 - 最大值:150mW *频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：350MHz
丝印：
外壳：
封装：EMT6
料号：JTG4-2861
包装：
参考价格:￥0.779700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX52T2R' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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