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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
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替代：
系列：-
晶体管类型 ：2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：4A
功率 - 最大值：4W
频率 - 跃迁：-
丝印：
外壳：
封装：10-SIP
料号：JTG4-3089
包装：
参考价格:￥28.476000
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晶体管类型 ：4 PNP 达林顿（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：4A
功率 - 最大值：4W
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外壳：
封装：10-SIP
料号：JTG4-3090
包装：
参考价格:￥28.476000
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描述： TRANS 4NPN DARL 100V 3A 12SIP
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品牌： Sanken复制 Sanken
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外壳：
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包装：
参考价格:￥28.476000
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： TRANS 3NPN DARL 100V 4A 8-SIP
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外壳：
封装：12-SIP
料号：JTG4-3142
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参考价格:￥28.476000
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
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描述： TRANS 4NPN DARL 120V 5A
参数： * 晶体管类型 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :4 PNP 达林顿（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :4 NPN 达林顿（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V * 功率 - 最大值:5W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 2A，4V * 功率 - 最大值:3W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :4 NPN 达林顿（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :4 NPN 达林顿（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V * 功率 - 最大值:4W *频率 - 跃迁:75MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装: * 晶体管类型 :4 NPN 达林顿（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V * 功率 - 最大值:5W *频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 标签: 包装:
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