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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A
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频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：300mW
丝印：
外壳：
封装：
料号：JTG5-3772
包装：
参考价格:￥0.960500
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可供数量:咨询
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功率 - 最大值：300mW
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封装：
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系列：-
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
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外壳：
封装：SMT6
料号：JTG5-3777
包装：
参考价格:￥0.960500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A
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描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
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料号：JTG5-3780
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参考价格:￥0.960500
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外壳：
封装：SMT5
料号：JTG5-3782
包装：
参考价格:￥0.960500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
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替代：
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功率 - 最大值：150mW
丝印：
外壳：
封装：EMT6
料号：JTG5-3787
包装：
参考价格:￥0.960500
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可供数量:咨询
个
总额：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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参数： *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，15V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA，300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA，300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:1 千欧，10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:200MHz，250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，320MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，260MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:220 欧姆 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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丝印：
外壳：
封装：SMT6
料号：JTG5-3790
包装：
参考价格:￥0.960500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS 2NPN 20V SC74
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丝印：
外壳：
封装：
料号：JTG5-3792
包装：
参考价格:￥0.960500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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参数： *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，15V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA，300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA，300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:1 千欧，10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:200MHz，250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，320MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，260MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:220 欧姆 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，320MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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外壳：
封装：EMT6
料号：JTG5-3905
包装：
参考价格:￥0.960500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
参数： *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，15V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA *电流 - 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包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
参数： *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，15V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA *电流 - 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替代：
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外壳：
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料号：JTG5-4051
包装：
参考价格:￥0.960500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
参数： *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 10mA，500µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，500µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，250µA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，250µA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，15V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA *电流 - 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集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，320MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：-
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：300mW
丝印：
外壳：
封装：SMT6
料号：JTG5-4052
包装：
参考价格:￥0.960500
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH8AT108' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
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