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Global Power Technologies Group

Global Power

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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功率 - 最大值：347W
丝印：
外壳：
封装：TO-3P
料号：JTG8-2131
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥2.169600
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外壳：
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描述： MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
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外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5149
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参考价格:￥2.169600
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可供数量:咨询
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封装：TO-220F
料号：JTG8-5199
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丝印：
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封装：TO-220F
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描述： MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：I-PAK
料号：JTG8-5571
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥2.169600
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描述： MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
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丝印：
外壳：
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料号：JTG8-5579
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥2.169600
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描述： MOSFET N-CH 500V 4A TO220
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替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5726
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥2.169600
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品牌： Global Power Technologies Group复制 Global Power
描述： MOSFET N-CH 900V 4A TO220
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：TO-220
料号：JTG8-5770
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥2.169600
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描述： MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220
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外壳：
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包装： 管件
参考价格:￥2.169600
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描述： MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):76nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:2097pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:347W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:330 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):76nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:2097pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:347W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):16A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:470 毫欧 @ 8A， 10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:3039pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):10A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:700毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:1546pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 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描述： MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
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