Central公司介绍和产品目录_Central Semiconductor Corp_中央半导体专区_授权代理商 - 辰科物联

首页 >> 所有制造商 >> Central

Central Semiconductor Corp 中央半导体

Central

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： CDM2208-800FP SL PBFREE复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：800V 电流 - 连续漏极(id)：8A（Tc） Vgs(最大值)：30V fet 功能：- 功率 - 最大值：57W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220FP 料号：JTG8-51218 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CMPDM202PH BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET P-CH 20V SOT-23F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：2.3A（Ta） Vgs(最大值)：12V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-23F 料号：JTG8-52922 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CMPDM203NH BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 20V SOT-23F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：3.2A（Ta） Vgs(最大值)：12V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-23F 料号：JTG8-52923 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CMPDM302PH BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET P-CH 30V SOT-23F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：2.4A（Ta） Vgs(最大值)：12V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-23F 料号：JTG8-52924 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CMPDM303NH BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 30V SOT-23F 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：3.6A（Ta） Vgs(最大值)：12V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-23F 料号：JTG8-52925 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM7002A-M621 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 60V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：40V fet 功能：- 功率 - 最大值：900mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621 料号：JTG8-52944 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM7002A-M621 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 60V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：40V fet 功能：- 功率 - 最大值：900mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621 料号：JTG8-52945 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM7003-M621 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 50V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：12V fet 功能：- 功率 - 最大值：900mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621 料号：JTG8-52946 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM7003-M621 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 50V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：12V fet 功能：- 功率 - 最大值：900mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621 料号：JTG8-52947 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM7120-M621H BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 20V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1A（Ta） Vgs(最大值)：8V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621H 料号：JTG8-52948 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM8002A-M621 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 50V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：20V fet 功能：- 功率 - 最大值：900mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621 料号：JTG8-52949 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM8002A-M621 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 50V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：20V fet 功能：- 功率 - 最大值：900mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621 料号：JTG8-52950 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM8002A-M621H BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 50V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621H 料号：JTG8-52951 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM8002A-M621H TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 50V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：50V 电流 - 连续漏极(id)：280mA（Ta） Vgs(最大值)：20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621H 料号：JTG8-52952 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM8120-M621H BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET P-CH 20V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):950mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.56nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：950mA（Ta） Vgs(最大值)：8V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621H 料号：JTG8-52953 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CTLDM8120-M621H TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET P-CH 20V DFN6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):950mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.56nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):950mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.56nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：950mA（Ta） Vgs(最大值)：8V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.6W（Ta）	丝印：外壳：封装：TLM621H 料号：JTG8-52954 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： CZDM1003N BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24.45nC @ 10V Vgs(最大值):30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1110pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):3.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.592nC @ 4.5V Vgs(最大值):40V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，5V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.764nC @ 4.5V Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:900mW（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:50V 电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.72nC @ 4.5V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):950mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.56nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):950mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.56nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.6W（Ta）工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):3A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:150 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:975pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：3A（Ta） Vgs(最大值)：20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-223 料号：JTG8-52959 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥10.712400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

共有117个记录每页显示17条，本页101-117条 6/6页首页上一页 2 3 4 5 6

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！

去购物车结算继续采购

复制成功

IC型号索引：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

购物指南

注册登录

找回密码

购物流程

常见问题

支付方式

配送方式

联系我们

直线：0755-28435922

总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼

联系我们

公司简介

关注我们

微信扫码

辰科物联介绍

粤公网安备号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2024 深圳市辰科物联有限公司版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922