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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： BSM400D12P2G003复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： SILICON CARBIDE POWER MODULE. B 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V *功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 N 通道（半桥） fet 功能：碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）：400A（Tc）功率 - 最大值：2450W（Tc）	丝印：外壳：封装：模块料号：JTG10-3677 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： QS6K21FRATR复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 45V NCH+NCH SMALL SIGNAL MOSFET 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：45V 电流 - 连续漏极（id）：1A（Ta）功率 - 最大值：950mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TSMT6（SC-95）料号：JTG10-4234 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： QS6K1FRATR复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V *功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：1A（Ta）功率 - 最大值：900mW（Tc）	丝印：外壳：封装：TSMT6（SC-95）料号：JTG10-4241 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SP8M3FU6TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOP 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：5A（Ta），4.5A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4259 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SP8M8FD5TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOP 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:6A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，850pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道 fet 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：6A（Ta），4.5A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4260 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SP8M3FU7TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOP 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:6A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：5A（Ta），4.5A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4261 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SP8K32TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET 2N-CH 60V 8SOP 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:6A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极（id）：4.5A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4262 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SP8K32MB1TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET 2N-CH 60V 8SOP 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:6A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极（id）：4.5A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4263 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SP8K3TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET 2N-CH 30V 8SOP 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:6A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:7A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：7A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4264 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SH8KA4TB1复制品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体描述： MOSFET2 N-CH SOP8G 参数： fet 类型:2 个 N 通道（半桥） fet 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（id）:400A（Tc）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 功率 - 最大值:2450W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:-40°C ~ 150°C（TJ）标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:45V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:950mW（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:1A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10V 功率 - 最大值:900mW（Tc）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:6A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30毫欧 @ 6A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:5A（Ta），4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，850pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极（id）:4.5A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:7A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:9A（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21.4 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 15V 功率 - 最大值:2W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：9A（Ta）功率 - 最大值：2W（Ta）	丝印：外壳：封装：8-SOP 料号：JTG10-4265 包装：	参考价格:￥14.690000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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