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MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
参数:
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|
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):30V
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功率 - 最大值:1.3W
|
丝印:
外壳:
封装:POWERPAK® 1212-8 DUAL
料号:JTG10-371
包装:
|
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7212DN-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
咨询客服
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描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):36 毫欧 @ 6.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):520pF @ 10V *功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型:N 和 P 沟道
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):20V
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|
丝印:
外壳:
封装:POWERPAK® CHIPFET 双
料号:JTG10-372
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5517DU-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
咨询客服
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型号: SI4948BEY-T1-E3复制
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描述:
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):36 毫欧 @ 6.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):520pF @ 10V *功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型:2 个 P 沟道(双)
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丝印:
外壳:
封装:8-SO
料号:JTG10-378
包装:
|
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4948BEY-T1-E3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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array(61) {
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描述:
MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
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描述:
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封装:POWERPAK® 1212-8 DUAL
料号:JTG10-392
包装:
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描述:
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
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包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
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描述:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
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描述:
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
参数:
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型号: SI7236DP-T1-GE3复制
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MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
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描述:
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描述:
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型号: SI1902DL-T1-GE3复制
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描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):36 毫欧 @ 6.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):520pF @ 10V *功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):10A,9.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):17.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):855pF @ 20V *功率 - 最大值:3.1W,3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):47 毫欧 @ 6.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19.2 毫欧 @ 8.3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1945pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):1.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):16 毫欧 @ 5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):2390pF @ 20V *功率 - 最大值:3.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):49 毫欧 @ 5.9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):60A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.2 毫欧 @ 20.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):4000pF @ 10V *功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):144 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):276pF @ 10V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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外壳:
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包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1902DL-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: SI3585CDV-T1-GE3复制
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描述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):36 毫欧 @ 6.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):520pF @ 10V *功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):10A,9.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):17.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):855pF @ 20V *功率 - 最大值:3.1W,3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):47 毫欧 @ 6.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19.2 毫欧 @ 8.3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1945pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):1.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):16 毫欧 @ 5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):2390pF @ 20V *功率 - 最大值:3.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):49 毫欧 @ 5.9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):60A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.2 毫欧 @ 20.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):4000pF @ 10V *功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):144 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):276pF @ 10V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.9A,2.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):58 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W,1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):30V
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封装:SC-70-6(SOT-363)
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描述:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):36 毫欧 @ 6.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):520pF @ 10V *功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):10A,9.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):17.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):855pF @ 20V *功率 - 最大值:3.1W,3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):47 毫欧 @ 6.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19.2 毫欧 @ 8.3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1945pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):1.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):16 毫欧 @ 5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):2390pF @ 20V *功率 - 最大值:3.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):49 毫欧 @ 5.9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):60A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.2 毫欧 @ 20.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):4000pF @ 10V *功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):144 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):276pF @ 10V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.9A,2.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):58 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W,1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):590pF @ 6V *功率 - 最大值:6.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型:2 个 P 沟道(双)
fet 功能:逻辑电平门
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功率 - 最大值:6.5W
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外壳:
封装:POWERPAK® SC-70-6 双
料号:JTG10-462
包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA913ADJ-T1-GE3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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咨询客服
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型号: SI6954ADQ-T1-E3复制
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MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
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型号: SIZ200DT-T1-GE3复制
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描述:
MOSFET N-CH DUAL 30V
参数:
*fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.9A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):36 毫欧 @ 6.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):39 毫欧 @ 4.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):520pF @ 10V *功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):2.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):10A,9.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):17.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):855pF @ 20V *功率 - 最大值:3.1W,3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):4.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):47 毫欧 @ 6.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19.2 毫欧 @ 8.3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1945pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):1.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):40V *电流 - 连续漏极(id):8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):16 毫欧 @ 5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):2390pF @ 20V *功率 - 最大值:3.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):49 毫欧 @ 5.9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):60A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.2 毫欧 @ 20.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):4000pF @ 10V *功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):235 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):62pF @ 10V *功率 - 最大值:420mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):120pF @ 6V *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):144 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):276pF @ 10V *功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):660mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):385 毫欧 @ 660mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.9A,2.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):58 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W,1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):590mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):480 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):590pF @ 6V *功率 - 最大值:6.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):3.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):53 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):22A(Ta),61A(Tc),22A(Ta),60A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 10A,10V,5.8 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 10V,30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1510pF @ 15V,1600pF @ 15V *功率 - 最大值:4.3W(Ta),33W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):22A(Ta),61A(Tc),22A(Ta),60A(Tc)
功率 - 最大值:4.3W(Ta),33W(Tc)
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丝印:
外壳:
封装:8-PowerPair®(3.3x3.3)
料号:JTG10-3634
包装:
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