Diodes Incorporated 美台半导体

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丝印:
外壳:
封装:PowerDI5060-8(R 类)
料号:JTG10-3895
包装:
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料号:JTG10-4058
包装:
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描述: MOSFET N-CH SOT23
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替代:
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外壳:
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包装:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8
参数: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):33A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):35 毫欧 @ 15A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):879pF @ 25V *功率 - 最大值:2.4W(Ta),68W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):8.2A(Ta),32A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):25 毫欧 @ 15A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1143pF @ 25V *功率 - 最大值:1.5W(Ta) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):33A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):35 毫欧 @ 15A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):879pF @ 25V *功率 - 最大值:2.4W(Ta),68W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):10A(Ta),20A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):12 毫欧 @ 15A,5V,6 毫欧 @ 15A,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA,1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 4.5V,12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):850pF @ 15V,1480pF @ 15V *功率 - 最大值:2.2W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):10A(Ta),20A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):12 毫欧 @ 15A,5V,6 毫欧 @ 15A,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA,1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 4.5V,12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):850pF @ 15V,1480pF @ 15V *功率 - 最大值:2.2W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):10A(Ta),20A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):12 毫欧 @ 15A,5V,6 毫欧 @ 15A,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA,1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC,12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):850pF,1480pF @ 15V *功率 - 最大值:2.2W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):100V *电流 - 连续漏极(id):54.7A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):17.4 毫欧 @ 17A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1986pF @ 50V *功率 - 最大值:2.2W(Ta),78W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):60V *电流 - 连续漏极(id):8.2A(Ta),32A(Tc) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):25 毫欧 @ 15A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1143pF @ 25V *功率 - 最大值:1.5W(Ta) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.9A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 6A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):722pF @ 25V *功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压(vdss):- *电流 - 连续漏极(id):- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):10A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):21 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):478.9pF @ 16V *功率 - 最大值:1.42W(Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
替代:
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):10A(Ta)
功率 - 最大值:1.42W(Ta)
丝印:
外壳:
封装:8-SO
料号:JTG10-4275
包装:
参考价格:4.587800
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG4822SSDQ-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
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