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Infineon Technologies 英飞凌

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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：8A
功率 - 最大值：2W
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-382
包装：
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个
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封装：8-SO
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料号：JTG10-400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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描述： MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
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fet 功能：逻辑电平门
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外壳：
封装：PG-DSO-8
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参考价格:￥0.259900
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-471
包装：
参考价格:￥0.259900
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-491
包装：
参考价格:￥0.259900
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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替代：
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-511
包装：
参考价格:￥0.259900
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.8 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2940pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2675pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.8 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1330pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:300mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:950mA，530mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:47pF @ 10V *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5.2A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:7.6A，11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.2 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.25V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:910pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W，2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
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丝印：
外壳：
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料号：JTG10-522
包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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连续漏极（id）:7.6A，11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.2 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.25V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:910pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W，2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：55V
电流 - 连续漏极（id）：4.7A
功率 - 最大值：2W
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：JTG10-524
包装：
参考价格:￥0.259900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7341PBF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
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