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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(62) { ["id"]=> string(3) "311" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD2117_2118.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp" ["ljbh"]=> string(15) "DGD2117S8-13-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "DGD2117S8-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "42500" ["dj"]=> string(8) "7.610000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(26) "IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "高端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(9) "6V，9.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(13) "290mA，600mA" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "75ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）" ["gysqjfz"]=> string(4) "8-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(3) "769" ["pcbfzk"]=> string(3) "769" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： DGD2117S8-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD2117S8-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD2117S8-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：高端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：P4-311
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD2117S8-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "312" ["pdf_add"]=> string(52) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD21814.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(17) "DGD21814S14-13-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "DGD21814S14-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "20000" ["dj"]=> string(8) "4.330000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "半桥" ["tdlx"]=> string(9) "独立式" ["qdqs"]=> string(1) "2" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(11) "0.8V，2.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(11) "1.9A，2.3A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "40ns，20ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(23) "14-SOIC（3.90mm 宽）" ["gysqjfz"]=> string(5) "14-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(2) "14" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： DGD21814S14-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21814S14-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21814S14-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：14-SO
料号：P4-312
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD21814S14-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "313" ["pdf_add"]=> string(52) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD21844.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(17) "DGD21844S14-13-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "DGD21844S14-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "17500" ["dj"]=> string(8) "8.350000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "半桥" ["tdlx"]=> string(6) "同步" ["qdqs"]=> string(1) "2" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(11) "0.8V，2.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(11) "1.4A，1.8A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "40ns，20ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(23) "14-SOIC（3.90mm 宽）" ["gysqjfz"]=> string(5) "14-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(2) "14" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "停产" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 停产
型号： DGD21844S14-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21844S14-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21844S14-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：14-SO
料号：P4-313
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD21844S14-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "314" ["pdf_add"]=> string(52) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD21904.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(17) "DGD21904S14-13-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "DGD21904S14-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "17500" ["dj"]=> string(8) "8.140000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "半桥" ["tdlx"]=> string(9) "独立式" ["qdqs"]=> string(1) "2" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(11) "0.8V，2.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(11) "4.5A，4.5A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "25ns，20ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(23) "14-SOIC（3.90mm 宽）" ["gysqjfz"]=> string(5) "14-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(2) "14" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： DGD21904S14-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21904S14-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21904S14-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：14-SO
料号：P4-314
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD21904S14-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "737" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(18) "ZXGD3003E6QTADI-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "ZXGD3003E6QTA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.300000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "5A，5A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(13) "8.9ns，8.9ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-23-6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3003" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3003E6QTA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3003E6QTA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3003E6QTA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-6
料号：P4-737
包装： 3000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3003E6QTA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "738" ["pdf_add"]=> string(0) "" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(18) "ZXGD3001E6QTADI-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "ZXGD3001E6QTA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.410000" ["gys_id"]=> string(3) "146" ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1552965263" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(15) "N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "12V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "9A，9A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(12) "7.3ns，11ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-23-6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3001" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3001E6QTA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3001E6QTA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3001E6QTA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：12V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-6
料号：P4-738
包装： 3000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3001E6QTA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "739" ["pdf_add"]=> string(52) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD21064.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(17) "DGD21064S14-13-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "DGD21064S14-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "32500" ["dj"]=> string(8) "4.970000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "半桥" ["tdlx"]=> string(9) "独立式" ["qdqs"]=> string(1) "2" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(11) "0.6V，2.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(13) "290mA，600mA" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(12) "100ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(23) "14-SOIC（3.90mm 宽）" ["gysqjfz"]=> string(5) "14-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(2) "14" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "停产" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 停产
型号： DGD21064S14-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21064S14-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21064S14-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：14-SO
料号：P4-739
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD21064S14-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "741" ["pdf_add"]=> string(52) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD21084.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(17) "DGD21084S14-13-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "DGD21084S14-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "30000" ["dj"]=> string(8) "9.510000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "半桥" ["tdlx"]=> string(9) "独立式" ["qdqs"]=> string(1) "2" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(11) "0.6V，2.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(13) "200mA，600mA" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(12) "100ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(23) "14-SOIC（3.90mm 宽）" ["gysqjfz"]=> string(5) "14-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(2) "14" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "停产" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 停产
型号： DGD21084S14-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21084S14-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD21084S14-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：14-SO
料号：P4-741
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD21084S14-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(3) "742" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD2117_2118.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(0) "" ["images"]=> string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp" ["ljbh"]=> string(15) "DGD2118S8-13-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "DGD2118S8-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "47500" ["dj"]=> string(8) "7.610000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(26) "IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "高端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(9) "6V，9.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(13) "290mA，600mA" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "75ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）" ["gysqjfz"]=> string(4) "8-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "卷带（TR）" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(3) "769" ["pcbfzk"]=> string(3) "769" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： DGD2118S8-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD2118S8-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD2118S8-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：高端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：P4-742
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD2118S8-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3142" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3105N8.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/8-SOIC.jpg" ["images"]=> string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp" ["ljbh"]=> string(17) "ZXGD3105N8TCTR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3105N8TC" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(15) "N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(10) "4.5V ~ 25V" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "4A，9A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "77ns，26ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）" ["gysqjfz"]=> string(4) "8-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "769" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3105N8TC复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3105N8TC' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3105N8TC' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 25V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：P4-3142
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3105N8TC' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3196" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3107N8.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/8-SOIC.jpg" ["images"]=> string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp" ["ljbh"]=> string(22) "ZXGD3107N8TCDITR- ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3107N8TC" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(15) "N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "2A，7A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(12) "175ns，20ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）" ["gysqjfz"]=> string(4) "8-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "769" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3107N8TC复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3107N8TC' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3107N8TC' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：P4-3196
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3107N8TC' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3224" ["pdf_add"]=> string(50) "http://diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3006E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(20) "ZXGD3006E6QTADITR-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "ZXGD3006E6QTA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "57000" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(17) "IGBT，SiC MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(9) "10A，10A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "48ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-26" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3006" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3006E6QTA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3006E6QTA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3006E6QTA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，SiC MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
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外壳：
封装：SOT-26
料号：P4-3224
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3006E6QTA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3282" ["pdf_add"]=> string(50) "http://diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3009DY.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(68) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-363%20PKG.jpg" ["images"]=> string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2-1.25-0.65.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "ZXGD3009DYTADITR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3009DYTA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(5) "21000" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1605719251" ["ms"]=> string(28) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT363" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(15) "N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "2A，2A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(13) "210ns，240ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(25) "6-TSSOP，SC-88，SOT-363" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-363" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3009" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "816" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3009DYTA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3009DYTA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3009DYTA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT363
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-363
料号：P4-3282
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥8.599300
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3009DYTA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3335" ["pdf_add"]=> string(50) "http://diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3009E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "ZXGD3009E6TADITR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3009E6TA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(4) "6000" ["cfkc"]=> string(5) "33000" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(4) "2098" ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1562838570" ["ms"]=> string(27) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(15) "N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "2A，2A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(13) "210ns，240ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-26" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3009" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3009E6TA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3009E6TA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "1" ["gys_id"]=> string(3) "348" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3009E6TA" ["price"]=> string(0) "" ["gm_gys_id"]=> string(0) "" ["num_1"]=> string(1) "5" ["sprice_1"]=> string(3) "1.5" ["num_2"]=> string(3) "100" ["sprice_2"]=> string(3) "1.1" ["num_3"]=> string(3) "750" ["sprice_3"]=> string(5) "0.989" ["num_4"]=> string(4) "1500" ["sprice_4"]=> string(4) "0.88" ["num_5"]=> string(0) "" ["sprice_5"]=> string(0) "" ["num_6"]=> string(0) "" ["sprice_6"]=> string(0) "" ["num_7"]=> string(0) "" ["sprice_7"]=> string(0) "" } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3009E6TA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-26
料号：P4-3335
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3009E6TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:7K+
可供数量: 7K+
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3336" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3005E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "ZXGD3005E6TADITR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3005E6TA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(5) "42000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "25V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(9) "10A，10A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "48ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-26" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3005" ["gl_dmtp"]=> string(42) "PmicSjqdqGlDm/2018-03-30/5abdd94030ce9.jpg" ["gl_vdd"]=> string(1) "1" ["gl_gnd"]=> string(1) "3" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3005E6TA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3005E6TA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 bool(false) SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3005E6TA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) AND ( ((`price` > 0)) OR ((`purchase_price` > 0)) OR ((`selling_price` > 0)) OR ((`sprice_9` > 0)) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:25V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：25V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-26
料号：P4-3336
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥1.695000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3005E6TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3337" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3006E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "ZXGD3006E6TADITR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3006E6TA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(5) "21000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(17) "IGBT，SiC MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(9) "10A，10A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(11) "48ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-26" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3006" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3006E6TA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3006E6TA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 bool(false) SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3006E6TA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) AND ( ((`price` > 0)) OR ((`purchase_price` > 0)) OR ((`selling_price` > 0)) OR ((`sprice_9` > 0)) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:25V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，SiC MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-26
料号：P4-3337
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥1.695000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3006E6TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3338" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3003E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(15) "ZXGD3003E6TR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3003E6TA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(5) "12000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "5A，5A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(13) "8.9ns，8.9ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-23-6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3003" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3003E6TA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3003E6TA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 bool(false) SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3003E6TA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) AND ( ((`price` > 0)) OR ((`purchase_price` > 0)) OR ((`selling_price` > 0)) OR ((`sprice_9` > 0)) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:25V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-6
料号：P4-3338
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥1.695000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3003E6TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3339" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3002E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(15) "ZXGD3002E6TR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3002E6TA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(4) "9000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "20V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "9A，9A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(14) "8.3ns，10.8ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-23-6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3002" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3002E6TA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3002E6TA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 bool(false) SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3002E6TA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) AND ( ((`price` > 0)) OR ((`purchase_price` > 0)) OR ((`selling_price` > 0)) OR ((`sprice_9` > 0)) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:25V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:20V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.3ns，10.8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：20V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-6
料号：P4-3339
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥1.695000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3002E6TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3340" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXGD3004E6.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(69) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT-23-6%20PKG.jpg" ["images"]=> string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/6-SO-2.9-1.6-0.95.jpg" ["ljbh"]=> string(15) "ZXGD3004E6TR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "ZXGD3004E6TA" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(4) "6000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "低端" ["tdlx"]=> string(6) "单路" ["qdqs"]=> string(1) "1" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(15) "40V（最大）" ["ljdy"]=> string(1) "-" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(7) "8A，8A" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(1) "-" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(15) "13.4ns，12.4ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "SOT-23-6" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-23-6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "3000" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "6" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(4) "3004" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "801" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "1" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ZXGD3004E6TA复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3004E6TA' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 bool(false) SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3004E6TA' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) AND ( ((`price` > 0)) OR ((`purchase_price` > 0)) OR ((`selling_price` > 0)) OR ((`sprice_9` > 0)) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:25V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:20V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.3ns，10.8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:8A，8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.4ns，12.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：40V（最大）
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-6
料号：P4-3340
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥1.695000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3004E6TA' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(62) { ["id"]=> string(4) "3342" ["pdf_add"]=> string(51) "http://www.diodes.com/_files/datasheets/DGD2108.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "https://media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/8-SOIC.jpg" ["images"]=> string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp" ["ljbh"]=> string(19) "DGD2108S8-13DITR-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "DGD2108S8-13" ["zddgs"]=> string(4) "2500" ["xysl"]=> string(4) "2500" ["cfkc"]=> string(5) "20000" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO" ["xl"]=> string(0) "" ["zzs"]=> string(19) "Diodes Incorporated" ["qdpz"]=> string(6) "半桥" ["tdlx"]=> string(9) "独立式" ["qdqs"]=> string(1) "2" ["sjlx"]=> string(22) "IGBT，N 沟道 MOSFET" ["dydy"]=> string(9) "10V ~ 20V" ["ljdy"]=> string(11) "0.6V，2.5V" ["dl_fzsc_gr_lc"]=> string(13) "290mA，600mA" ["srlx"]=> string(9) "非反相" ["gycdy_max"]=> string(5) "600 V" ["ss_xjsj_dxz"]=> string(12) "100ns，35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）" ["gysqjfz"]=> string(4) "8-SO" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(6) "卷带" ["spq"]=> string(4) "2500" ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "769" ["ljzt"]=> string(6) "停产" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(2) "84" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_pmic_sjqdq" ["ch_bm"]=> string(21) "PMIC- 栅极驱动器" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 停产
型号： DGD2108S8-13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD2108S8-13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 bool(false) SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD2108S8-13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) AND ( ((`price` > 0)) OR ((`purchase_price` > 0)) OR ((`selling_price` > 0)) OR ((`sprice_9` > 0)) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:12V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.3ns，11ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 25V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:77ns，26ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，7A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:175ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:210ns，240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:25V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A，10A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:48ns，35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.9ns，8.9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:20V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8.3ns，10.8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:40V（最大） 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:8A，8A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.4ns，12.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.6V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：P4-3342
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥1.695000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD2108S8-13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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